以氮化镓(GaN)为首的第三代半导体材料适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常也称为高温半导体材料。回答下列问题:
(1)基态Ga原子价层电子的电子排布图为______;第二周期中,第一电离能介于N和B之间的元素有______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为______,其中σ键的对称方式为______。与CN-互为等电子体的一种分子为______。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子与CO2互为等电子体,阴离子中心原子的杂化轨道类型为______。NF3的空间构型为______。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因______。
(5)GaN晶胞结构如图1所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA。
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为______;
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图2。若该平行六面体的体积为a3cm3,GaN晶体的密度为______g/cm3(用a、NA表示)。
图1 图2
田字格字帖
(1)基态Ga原子价层电子的电子排布图为______;第二周期中,第一电离能介于N和B之间的元素有______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为______,其中σ键的对称方式为______。与CN-互为等电子体的一种分子为______。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子与CO2互为等电子体,阴离子中心原子的杂化轨道类型为______。NF3的空间构型为______。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因______。
| GaN | GaP | GaAs |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如图1所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA。
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为______;
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图2。若该平行六面体的体积为a3cm3,GaN晶体的密度为______g/cm3(用a、NA表示)。
图1 图2
采用过本试题的试卷
《安徽省黄山市2019届高三下学期第二次质量检测理科综合化学试题》
《四川省攀枝花市2018-2019学年高一下学期期末调研检测化学试题》
《安徽省黄山市2019届高三下学期第二次质量检测理科综合化学试题》
《四川省攀枝花市2018-2019学年高一下学期期末调研检测化学试题》
《安徽省黄山市2019届高三下学期第二次质量检测理科综合化学试题》
更多相关高三试卷
- 湖南省常德市2019届高三下学期第一次模拟考试理科综合化学试题 (04-09)
- 上海市杨浦区2019届高三下学期二模化学试题 (04-08)
- 河南省安阳市2019届高三下学期二模考试理科综合化学试题 (04-08)
- 上海市奉贤区2019届高三下学期高考二模化学试题 (04-07)
- 湖南省岳阳市2019届高三教学质量检测(二)理科综合化学试题 (04-07)