GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]___,下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是___(填标号)。
(2)8一羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与(8一羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为____;所含元素中电负性最大的是___(填元素符号),C、N、O的杂化方式依次为____、_____和____。
(3)已知下列化合物的熔点:
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是_____。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6,二聚体Al2Cl6的结构式为____;其中Al的配位数为____。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示,其晶胞参数为apm。
①紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y,则__。
②设阿伏加德罗常数的值为NA,则GaAs的密度是___g·cm一3(列出计算表达式)。
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(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]___,下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是___(填标号)。
A. | B. | C.[Ne] | D. |
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/°C | 1040 | 1000 | 194 |
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是_____。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6,二聚体Al2Cl6的结构式为____;其中Al的配位数为____。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示,其晶胞参数为apm。
①紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y,则__。
②设阿伏加德罗常数的值为NA,则GaAs的密度是___g·cm一3(列出计算表达式)。
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