试题详情 下列说法不正确的是（　　）A．CO2、SiO2的晶体结构类型不同B．加热硅、硫晶体使之熔化，克服的作用力不同C．HF比HCl稳定是因为HF间存在氢键D．NaOH

试题详情 第三代半导体材料氮化镓（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为____